Investigadores de la Universitat Polit\u00e8cnica de Val\u00e8ncia (Espa\u00f1a), pertenecientes al Centro de Tecnolog\u00eda Nanofot\u00f3nica, han desarrollado una nueva tecnolog\u00eda compatible con fot\u00f3nica de silicio cuyo uso en el \u00e1mbito de las comunicaciones permitir\u00e1 incrementar la velocidad de transmisi\u00f3n de Internet, as\u00ed como reducir el consumo energ\u00e9tico de los dispositivos. Entre sus posibles aplicaciones, destaca tambi\u00e9n el sector aeroespacial: la tecnolog\u00eda desarrollada ayudar\u00eda a mejorar la velocidad de operaci\u00f3n de las comunicaciones por sat\u00e9lite, as\u00ed como a reducir el peso de dichos sat\u00e9lites.<\/p>\n
El desarrollo de esta tecnolog\u00eda constituye el principal resultado de SITOGA, un proyecto europeo coordinado por el NTC-UPV y en el que han participado tambi\u00e9n la spin off de la UPV, Das Photonics y la multinacional IBM. La tecnolog\u00eda desarrollada est\u00e1 basada en la integraci\u00f3n de di\u00f3xido de vanadio y titanato de bario en chips de silicio. El uso de estos materiales ha permitido miniaturizar y bajar el consumo de potencia y demostrar por primera vez modulaciones de alta velocidad utilizando el mismo efecto que se emplea actualmente en los moduladores comerciales, lo que abre la posibilidad de conseguir velocidades de modulaci\u00f3n ultrarr\u00e1pidas y tambi\u00e9n un bajo consumo energ\u00e9tico.<\/p>\n
La caracter\u00edstica singular de esta tecnolog\u00eda es su compatibilidad con la fabricaci\u00f3n de circuitos integrados CMOS, que abre la posibilidad de fabricaci\u00f3n a gran escala y bajo coste as\u00ed como su integraci\u00f3n con otros componentes fot\u00f3nicos para permitir funcionalidades mucho m\u00e1s complejas que las que ofrecen actualmente los dispositivos comerciales.<\/p>\n\n
\u201cLos resultados que hemos obtenido podr\u00e1n tener un gran impacto en el sector de las telecomunicaciones y las comunicaciones de datos. Hemos conseguido desarrollar un chip basado en la tecnolog\u00eda h\u00edbrida de titanato de bario y silicio que funciona a velocidades de hasta 40 Gigabits\/s, cien veces superior al r\u00e9cord alcanzado hasta el momento, conseguido en el a\u00f1o 2014 por un grupo de investigaci\u00f3n americano\u201d, destaca Pablo Sanchis, investigador del Centro de Tecnolog\u00eda Nanofot\u00f3nica de la UPV y coordinador del proyecto.<\/p>\n
La principal ventaja del di\u00f3xido de vanadio es que permite modificar de forma significativa la se\u00f1al \u00f3ptica en distancias del orden del micr\u00f3metro. \u201cEsto supone poder reducir el tama\u00f1o de los dispositivos y el consumo de potencia. Esta tecnolog\u00eda podr\u00eda tener utilidad en aplicaciones de conmutaci\u00f3n electro\u00f3ptica, como por ejemplo, en servidores para poder encaminar la se\u00f1al \u00f3ptica de una forma mucho m\u00e1s eficiente\u201d, a\u00f1ade Pablo Sanchis.<\/p>\n
Fuente:\u00a0http:\/\/noticiasdelaciencia.com<\/p>\n
Universidad Internacional<\/a><\/p>\n Ingenier\u00eda Industrial y Sistemas de Calidad<\/a><\/p>\n